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- 型号： MRFG35003M6R5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003M6R5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003M6R5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003M6R5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35003M6R5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003M6R5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35003M6R5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2400–2500 MHz），采用表面贴装塑料封装（SOT-1227B），具备高增益、高效率与良好线性度。 其主要应用场景包括： ✅ Wi-Fi 6/6E 接入点（AP）与路由器射频前端：作为2.4 GHz频段的末级功率放大器（PA），支持高吞吐量和多用户MIMO； ✅ 无线宽带设备：如固定无线接入（FWA）、CPE终端中的2.4 GHz RF发射链路； ✅ 工业物联网（IIoT）与智能楼宇无线系统：用于长距离、高可靠性2.4 GHz私有网络通信模块； ✅ 蓝牙/Wi-Fi共存系统中的独立PA：在需隔离干扰或提升发射功率的混合无线方案中提供纯净输出； ✅ 测试与测量设备中的信号源驱动级：适用于中等功率（典型P1dB ≈ 3 W，饱和输出功率约3.5 W）射频激励应用。 该器件支持+28 V单电源供电，内置ESD保护，热性能优化，适合紧凑型PCB布局。注意：实际应用中需配合匹配网络、稳定电路及散热设计以确保可靠性与线性指标（如ACLR、EVM）满足802.11b/g/n/ac标准要求。不适用于5 GHz频段或超低噪声接收前端。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35003M6R5 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 9dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 8V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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