【未分类_MRFG35003ANT1】封装/厂家_MRFG35003ANT1中文资料_价格

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型号： MRFG35003ANT1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003ANT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003ANT1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003ANT1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFG35003ANT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003ANT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFG35003ANT1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率 MOSFET，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2400–2500 MHz），采用 SOT-89 封装，具备高增益（典型 14 dB）、高效率（PAE 约 45%）和优异线性度。

其主要应用场景包括：  
✅ Wi-Fi 无线通信系统：广泛用于 IEEE 802.11b/g/n/ac 的 2.4 GHz 前端功率放大器（PA），尤其适用于路由器、接入点（AP）、网关等需中等输出功率（约 30 dBm）的设备；  
✅ 物联网（IoT）与智能家居终端：如智能音箱、摄像头、无线传感器节点等对尺寸、功耗和成本敏感的低功耗射频发射模块；  
✅ 短距离无线应用：支持 Zigbee、Bluetooth（非主射频链路，但可用于特定增强型BT模块的辅助PA）、Wi-Fi Direct 等协议的射频前端；  
✅ 工业与消费类无线模块：集成于客户定制的 RF 模块或评估板中，用于无线遥控、无线音频传输、POS 终端等。

该器件不适用于蜂窝通信（如 LTE/5G）或高功率基站场景，亦非通用开关或电源管理用途。其设计强调在 5V 单电源供电下实现高线性与热稳定性，适合表面贴装、紧凑型 PCB 布局。  

（注：MRFG35003ANT1 已进入 NXP 产品寿命终止（EOL）流程，建议新设计参考其升级替代型号 MRFE6P6030 或 LDMOS/GaN 方案。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFG35003ANT1
PCN封装	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15687.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	PLD-1.5
功率-输出	3W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	10.8dB
封装/外壳	PLD-1.5
晶体管类型	pHEMT FET
标准包装	1,000
电压-测试	12V
电压-额定	15V
电流-测试	55mA
频率	3.55GHz
额定电流	1.3A