Datasheet下载- 型号： MRFE6VP8600HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
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MRFE6VP8600HSR5是由NXP USA Inc.生产的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具有出色的功率密度、效率和热稳定性，适用于高频、大功率工作环境。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：广泛用于FM广播发射机中的末级或驱动级功率放大，支持88–108 MHz频段，具备高线性度与可靠性，满足连续高功率输出需求。 2. 工业与科学设备：应用于射频能量加热、等离子体生成、工业感应加热等领域，提供稳定高效的射频功率输出。 3. 航空与国防通信：在战术通信系统、雷达系统及电子战设备中，作为关键的射频功率放大元件，支持高可靠性与宽温域运行。 4. 公共安全与应急通信：用于VHF/UHF频段的高功率通信基站，保障关键任务通信的清晰与覆盖范围。 MRFE6VP8600HSR5采用先进的陶瓷封装（HSR5），具备优异的散热性能，可在高驻波比（VSWR）条件下承受严苛工作环境，适合需要长期稳定运行的工业级和军用级应用。其高增益和高效率特性有助于降低系统功耗与冷却成本，是现代高功率射频设计中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | RF FET LDMOS DUAL NI1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP8600HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 其它名称 | MRFE6VP8600HSR5DKR |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.3dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | - |
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