【未分类_MRFE6VP61K25GSR5】封装/厂家_MRFE6VP61K25GSR5中文资料_价格

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型号： MRFE6VP61K25GSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP61K25GSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP61K25GSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP61K25GSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6VP61K25GSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP61K25GSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRFE6VP61K25GSR5是一款射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频、高功率的射频场景。以下是其主要应用场景：

 1. 无线通信系统
   - 该型号适用于基站放大器（如蜂窝网络基站）中的射频功率放大。它能够提供高效率和高增益，满足现代通信系统对信号强度和覆盖范围的要求。
   - 在无线基础设施中，用于增强信号传输距离和质量。

 2. 雷达系统
   - MRFE6VP61K25GSR5可用于脉冲雷达和连续波雷达中的射频功率放大器。其高功率处理能力和稳定性使其适合于军事、气象和航空领域的雷达应用。

 3. 广播系统
   - 在调频（FM）和调幅（AM）广播中，这款MOSFET可用作发射机的功率放大器，确保广播信号的覆盖范围和清晰度。

 4. 工业加热与等离子体应用
   - 在工业领域，该器件可驱动射频能量用于感应加热、等离子体激发或材料处理（如焊接、热处理和干燥）。

 5. 测试与测量设备
   - 高性能射频测试仪器需要可靠的功率放大器，MRFE6VP61K25GSR5能够为这些设备提供稳定的射频输出。

 6. 业余无线电
   - 业余无线电爱好者可以使用此MOSFET构建高功率射频放大器，以扩展其通信距离。

 特性总结
- 频率范围：支持高频工作，适用于射频和微波频段。
- 高功率输出：能够在射频范围内提供显著的功率增益。
- 高效能：具有低损耗和高效率的特点，适合长时间运行的设备。
- 耐用性：经过优化设计，能够在恶劣环境下稳定运行。

综上所述，MRFE6VP61K25GSR5是一款专为高性能射频应用设计的MOSFET，特别适合需要高功率和高效率的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET VHV6 1.25KW 50V ISM NI1230GS
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6VP61K25GSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S-4 鸥翼型
功率-输出	1250W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	24dB
封装/外壳	NI-1230S-4 GW
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	50V
电压-额定	133V
电流-测试	100mA
频率	230MHz
额定电流	10µA