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- 型号： MRFE6S9205HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9205HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9205HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9205HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9205HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9205HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9205HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–2025 MHz），采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H-4L），具备205 W连续波（CW）输出能力与高增益（典型23 dB）、高效率（典型74%）。其主要应用场景集中于蜂窝通信基础设施领域，尤其适用于： - 4G LTE 及 5G Sub-6 GHz 基站功率放大器（PA）：作为宏基站或中继站末级功放，支持多载波、高PAR信号（如20W–100W平均功率等级），满足ACLR与EVM严苛指标； - 宽带无线接入系统（如WiMAX、TDD-LTE专网）：凭借宽频带匹配能力和良好线性度，适用于需动态调制（如64-QAM/256-QAM）的高数据率传输； - 广播与专业无线通信设备：如公共安全集群通信、数字地面电视（DTMB）发射模块的中功率级放大。 该器件集成ESD保护、优异热稳定性及高VSWR耐受能力（≥10:1），适合在紧凑型、风冷/传导冷却的高密度射频功放模块中长期可靠运行。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9205HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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