【未分类_MRFE6S9200HSR5】封装/厂家_MRFE6S9200HSR5中文资料_价格

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型号： MRFE6S9200HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9200HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9200HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9200HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6S9200HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9200HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFE6S9200HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.0 GHz（支持 1800–2000 MHz 频段），输出功率可达 200 W（连续波，CW），峰值功率更高，具备高增益（约 17–19 dB）、高效率（典型漏极效率 >65%）和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站射频功放：广泛用于 4G LTE 和 5G NR 宏基站的末级功率放大器（PA），尤其适配 1.8–2.0 GHz 主流频段（如 B3、B4、B25 等），满足高线性度与ACLR要求；  
✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）及远程射频单元（RRU）中的宽带高效率功放模块；  
✅ 工业与广播射频源：适用于医疗射频消融设备、等离子体发生器、ISM 频段（如 1.8–2.5 GHz）工业加热系统等需要稳定大功率射频输出的场景；  
✅ 测试与测量仪器：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC 测试系统等。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），集成源极键合焊盘与优化热路径，支持风冷/液冷散热，符合 RoHS 标准，适用于严苛工业环境。需配合匹配网络、偏置电路及保护机制（如VSWR耐受、过温关断）使用以确保长期可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6S9200HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880S
功率-输出	58W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21dB
封装/外壳	NI-880S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	66V
电流-测试	1.4A
频率	880MHz
额定电流	10µA