【未分类_MRFE6S9200HR3】封装/厂家_MRFE6S9200HR3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRFE6S9200HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9200HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9200HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9200HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6S9200HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9200HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFE6S9200HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高功率、高频通信应用设计。其典型应用场景包括：  
1. 蜂窝基站发射系统：适用于 4G LTE 及 5G NR 宏基站的末级功率放大器（PA），工作频段覆盖 1805–2200 MHz（如 PCS、AWS、B4/B7/B38/B41 等频段），支持高效率 Doherty 架构；  
2. 广播与无线基础设施：用于 UHF 频段（如 470–862 MHz）数字电视（DTV）或宽带无线接入（WiMAX）发射机中的高线性度功放模块；  
3. 工业/科学/医疗（ISM）射频源：如 915 MHz 工业加热、等离子体发生器及 MRI 射频激励系统，得益于其高增益（典型 18 dB）、高输出功率（连续波下可达 200 W，脉冲模式更高）和优异热稳定性；  
4. 军用与航空通信：满足严苛环境要求的战术电台、雷达激励级或电子对抗（ECM）系统的中高功率射频放大环节。  

该器件采用陶瓷封装（Air Cavity Package），具备高可靠性、低热阻和卓越的抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1），支持宽带匹配设计，广泛应用于需兼顾效率、线性度与鲁棒性的商用及专业级射频功率系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6S9200HR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880
功率-输出	58W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21dB
封装/外壳	NI-880
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	66V
电流-测试	1.4A
频率	880MHz
额定电流	10µA