Datasheet下载- 型号： MRFE6P9220HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6P9220HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6P9220HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6P9220HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6P9220HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6P9220HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6P9220HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，主要用于 1.8–2.2 GHz 频段（典型工作频段为 1805–2200 MHz），典型应用包括： - 蜂窝通信基站：作为宏基站或小型基站（Small Cell）中的末级功率放大器（PA），支持 LTE、LTE-Advanced 及 5G NR（Sub-6 GHz）的 TDD/FDD 模式，尤其适用于 2.1 GHz 频段（如 B1/B4/B30/B39 等）； - 无线基础设施设备：用于分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及射频拉远单元（RRU）中的高效率、宽带射频功放模块； - 广播与工业应用：适用于 ISM 频段（如 2.4 GHz）的高功率射频加热、等离子体发生器及医疗射频设备（需符合相应EMC/安全规范）； - 测试与测量仪器：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、OTA 测试系统及实验室用宽带功率放大器。 该器件采用陶瓷封装（H-36265-2），支持高输出功率（典型 P3dB = 220 W @ 2.14 GHz），具备高增益（≥17 dB）、高漏极效率（≥65% @ 饱和点）及优异的热稳定性和可靠性，适合连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）下的高线性度工作。需配合匹配电路、稳定偏置及高效散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6P9220HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-860C3 |
| 功率-输出 | 47W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-860C3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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