Datasheet下载- 型号： MRFE6P3300HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6P3300HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6P3300HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6P3300HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6P3300HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6P3300HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRFE6P3300HR3、品牌为NXP USA Inc.的射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频领域。其典型应用场景包括： 1. 广播发射系统：适用于调频（FM）和调幅（AM）广播发射机，作为高功率射频放大器的核心元件，提供高效、稳定的信号放大。 2. 工业加热设备：用于射频能量加热系统，如塑料热合、材料干燥和医疗设备中的射频能量控制，具备高耐压和高效率特性。 3. 无线通信基础设施：支持基站和无线接入网络（RAN）中的高功率射频放大，适用于4G LTE及部分5G通信系统，确保信号远距离传输的稳定性。 4. 测试与测量设备：在射频测试仪器中作为功率放大模块，用于模拟高功率信号环境，验证设备性能。 5. 航空与国防领域：应用于雷达系统、电子战设备和通信中继，满足高可靠性与宽温度范围工作需求。 该器件采用高耐用性封装（如RFPB封装），具备良好的散热性能，适用于连续波（CW）和脉冲操作模式，工作频率范围覆盖数十兆赫兹至数百兆赫兹，输出功率可达数百瓦级别。其高效率、低失真和良好热稳定性的特点，使其成为多种高功率射频应用的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6P3300HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-860C3 |
| 功率-输出 | 270W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.4dB |
| 封装/外壳 | NI-860C3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 857MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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