【未分类_MRF9135LSR5】封装/厂家_MRF9135LSR5中文资料_价格

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型号： MRF9135LSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9135LSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9135LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF9135LSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF9135LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9135LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF9135LSR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为 900 MHz 频段设计（典型工作频率：869–960 MHz），采用表面贴装 SOT-1227 封装（带散热焊盘），具备高增益、高效率和优异的线性度。

其主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝通信基站：广泛用于 GSM、EDGE、LTE-FDD 等 900 MHz 频段宏基站/微基站的末级功率放大器（PA），支持高输出功率（典型 P1dB ≥ 35 W，Gps ≥ 17 dB）与高漏极效率（>65% @ 945 MHz）。  
✅ 无线基础设施设备：适用于中继器、直放站、分布式天线系统（DAS）等对可靠性与热稳定性要求严苛的场景。  
✅ 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、物联网（IoT）广域网关、无线麦克风及专业音频发射系统中的射频功放模块。  

该器件支持宽带匹配设计，具备良好的热稳定性和坚固的抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1），可简化电路设计并提升系统鲁棒性。需配合合适偏置电路（推荐 Class AB 工作模式）与高效散热方案使用。  

注意：MRF9135LSR5 已进入 NXP 的产品寿命终止（EOL）流程，部分渠道已停产，新设计建议评估替代型号（如 MRF9135NBR1 或更新一代 RF LDMOS 器件），但现有设备维护与产线延续仍普遍采用该型号。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF9135LSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	25W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.8dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	1.1A
频率	880MHz
额定电流	10µA