Datasheet下载- 型号： MRF9135LR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9135LR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9135LR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF9135LR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9135LR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9135LR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9135LR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 900 MHz 频段设计（典型工作频率：869–960 MHz），采用 TO-270WB-4 封装，具备高增益、高效率和优异的热稳定性。 其主要应用场景包括： • 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 GSM、EDGE、LTE-FDD/TDD 基站的末级功放（PA），尤其适用于宏基站和微基站中的多载波（MC-CDMA/LTE）发射链路； • 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和直放站（Repeater）中的射频输出级； • 工业与专用通信系统：支持 PMR（专业移动无线电）、TETRA、P25 等窄带/宽带数字集群通信系统的射频功率放大； • 广播辅助设备：在低功率电视/FM 激励器或中继发射模块中作为可靠高效的射频放大器件。 该器件支持 AB 类线性工作模式，具备出色的互调失真（IMD）抑制能力与包络跟踪（ET）兼容性，满足现代通信系统对高谱效与低邻道泄漏比（ACLR）的严苛要求。其集成的ESD保护与高可靠性设计，亦适用于野外部署及高温环境运行。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9135LR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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