Datasheet下载- 型号： MRF9030LSR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9030LSR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9030LSR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF9030LSR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9030LSR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9030LSR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9030LSR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高功率放大应用设计。其典型工作频率范围为1.8–2.2 GHz（支持LTE、WCDMA、5G Sub-6 GHz等频段），输出功率可达30 W（连续波）或更高（脉冲/平均功率），具备高增益（约18 dB）、高效率（>60% PAE）和优异的线性度。 主要应用场景包括： ✅ 4G/5G基站射频功率放大器（PA）：广泛用于宏基站、微基站及有源天线单元（AAU）的末级功放模块，满足高吞吐量与能效要求； ✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型蜂窝（Small Cell）和中继器中的宽带射频放大； ✅ 工业与广播通信：适用于ISM频段（如2.4 GHz）的高可靠性固态射频源、雷达激励器及专业无线通信系统； ✅ 测试与测量设备：作为信号发生器、功率放大模块或EMC抗扰度测试系统的宽带驱动级。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1227A），具备优良热管理能力与长期可靠性，支持AB类线性工作模式，并兼容主流偏置与预失真（DPD）校准方案，便于集成至现代多载波、高阶调制（如256-QAM）系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9030LSR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360S |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | NI-360S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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