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- 型号： MRF8S9260HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9260HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9260HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9260HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S9260HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9260HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S9260HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 925–960 MHz 频段设计（如 GSM、EDGE、LTE FDD Band 8 等），典型输出功率达 60 W（连续波），峰值功率更高，适用于高效率、高线性度的基站射频功放级。 主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：作为宏基站或分布式基站（BBU+RRU 架构）中末级功率放大器（PA），支持 900 MHz 频段的多载波 GSM/EDGE/LTE 信号放大； - 无线基础设施设备：用于直放站、微基站、小基站（Small Cell）及室内分布系统（DAS）中的射频发射链路； - 广播与专网通信：适用于部分窄带/宽带无线专网（如公共安全、PMR）的900 MHz频段发射模块； - 工业与科研射频源：在需要稳定大功率射频输出的测试系统、EMC抗扰度测试激励源等场景中作为核心放大器件。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热性能与可靠性，支持高增益（典型16 dB）、高漏极效率（>65% @ 945 MHz），并集成ESD保护和良好匹配特性，简化外围电路设计。需配合匹配网络、偏置电路及散热系统使用，常搭配NXP配套驱动芯片（如MRF8P9300N）构建完整PA方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9260HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.6dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 1.7A |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | - |
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