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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9220HR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9220HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9220HR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF8S9220HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF8S9220HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S9220HR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频(RF)LDMOS MOSFET 功率晶体管,专为 900 MHz 频段(典型工作频段:869–960 MHz)的基站和通信基础设施设计。其主要应用场景包括: - 蜂窝基站功率放大器(PA):广泛用于 2G(GSM/EDGE)、3G(UMTS)、4G LTE 及部分 NB-IoT 基站的末级射频功放模块,支持高效率、高线性度的连续波(CW)或调制信号(如 OFDM、QAM)放大。 - 宏基站与微基站(Macro/micro base station):凭借高达 220 W 的输出功率(P1dB)、优异的增益(约 17 dB)和高漏极效率(>65%),适用于多载波、大带宽(如 20–40 MHz)场景下的多模基站发射链路。 - 无线基础设施设备:集成于远程射频单元(RRU)、有源天线系统(AAS)及分布式天线系统(DAS)中的射频前端模块,满足高可靠性、长寿命(符合 Telcordia GR-468 标准)及热稳定性要求。 - 工业与专用通信系统:如公共安全通信(TETRA、P25)、数字地面电视(DTTB)发射机及雷达辅助通信等中高功率射频应用。 该器件采用气腔陶瓷封装(HR5),具备优良散热性能与高隔离度,支持推挽或单端宽带匹配设计,适配主流基站PA架构(如Doherty)。需配合NXP推荐的偏置电路、输入/输出匹配网络及稳定电路使用,以确保全频带稳定性与低互调失真(IMD3 < –35 dBc)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9220HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 65W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.4db |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | - |