【未分类_MRF8S9202GNR3】封装/厂家_MRF8S9202GNR3中文资料_价格

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型号： MRF8S9202GNR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9202GNR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9202GNR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9202GNR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S9202GNR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9202GNR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8S9202GNR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 900 MHz 频段（典型工作频段：869–960 MHz）的蜂窝基站和无线基础设施设计。其主要应用场景包括：

- 4G LTE 和 5G Sub-1 GHz 基站功率放大器（PA）：适用于宏基站、微基站及分布式天线系统（DAS），支持高效率、高线性度的多载波信号放大（如 20W–40W 平均输出功率，峰值功率可达 200W）。

- ISM 频段工业/医疗设备：在 915 MHz ISM 频段（如 RFID 读写器、工业加热、医疗射频消融设备）中提供稳定可靠的射频能量输出。

- 广播与公共安全通信系统：用于 TETRA、P25、DMR 等专业移动无线电（PMR）系统的末级功放模块，满足严苛的邻道泄漏比（ACLR）和误差矢量幅度（EVM）要求。

该器件采用气腔封装（OM-1230-4L），具备优异热性能与可靠性，支持宽带匹配设计，可简化外围电路；内置ESD保护与VSWR耐受能力（10:1），增强系统鲁棒性。广泛应用于通信设备制造商（OEM）、射频子系统供应商及基站射频模块设计厂商。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V OM780-2G
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8S9202GNR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	OM-780-2
功率-输出	58W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19dB
封装/外壳	OM-780-2
晶体管类型	N 通道
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	70VDC
电流-测试	1.3A
频率	920MHz ~ 960MHz
额定电流	-