Datasheet下载- 型号： MRF8S9100HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9100HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9100HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9100HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S9100HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9100HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S9100HSR3 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的高性能射频LDMOS MOSFET，专为900 MHz频段（典型工作频段869–960 MHz）的高功率、高效率基站应用设计。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛用于4G LTE及5G NR宏基站的末级功率放大器（PA），支持多载波、高PAR信号（如OFDMA），具备优异的线性度与ACLR性能； - 无线基础设施设备：适用于分布式基站（BBU+RRU）、小型基站（Small Cell）的射频功放模块，尤其适配900 MHz低频段覆盖场景（如广域农村/郊区覆盖）； - 工业与专用无线系统：可用于公共安全通信（TETRA、P25）、物联网（NB-IoT）基站、广播辅助发射等需高可靠性、连续波（CW）或脉冲大功率输出的场合； - 测试与仪表设备：作为射频信号源、功率放大模块，用于EMC测试、OTA暗室校准等实验室环境。 该器件采用高热效气腔封装（NI-780H），支持100 W连续波输出（典型P1dB达100 W），具备高增益（≥18 dB）、高漏极效率（≥65% @ 960 MHz）及出色的热稳定性和ESD防护能力，支持AB类偏置以兼顾线性与效率。需配合匹配网络与散热设计使用，适用于严苛的室外基站环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9100HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 920MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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