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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF8S9100HSR3是一款射频(RF)晶体管,具体属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这款器件具有高功率处理能力、低热阻和高增益等特性,适用于多种射频放大应用。 应用场景: 1. 无线通信基础设施: - MRF8S9100HSR3广泛应用于基站、中继站和其他无线通信设备中。它能够提供高效能的射频信号放大,确保通信链路的稳定性和可靠性。特别是在4G LTE和5G网络建设中,该器件可以支持更高的数据传输速率和更广的覆盖范围。 2. 射频功率放大器: - 该晶体管常用于射频功率放大器的设计中,尤其是在需要高输出功率的应用场合。例如,在军事通信、卫星通信和雷达系统中,MRF8S9100HSR3可以提供强大的射频信号放大功能,满足这些系统对高可靠性和高性能的要求。 3. 工业与科学应用: - 在工业加热、等离子体生成等领域,射频能量的精确控制至关重要。MRF8S9100HSR3可以用于射频发生器中,实现高效的能量转换和控制,从而提高生产效率和产品质量。 4. 测试与测量设备: - 射频测试仪器如信号源、频谱分析仪等也需要高性能的射频放大器。MRF8S9100HSR3凭借其优异的线性度和稳定性,成为这些设备中的理想选择,确保测试结果的准确性和一致性。 5. 业余无线电: - 对于业余无线电爱好者来说,MRF8S9100HSR3也是一个不错的选择。它可以用于自制的射频发射机或接收机中,帮助爱好者们进行各种射频实验和技术探索。 总之,MRF8S9100HSR3以其卓越的性能和广泛的适用性,在多个领域展现了其独特的价值,特别是在射频功率放大的应用场景中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF8S9100HSR3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | NI-780S |
功率-输出 | 72W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 19.3dB |
封装/外壳 | NI-780S |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 250 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 70V |
电流-测试 | 500mA |
频率 | 920MHz |
额定电流 | 10µA |