【未分类_MRF8S8260HSR3】封装/厂家_MRF8S8260HSR3中文资料_价格

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型号： MRF8S8260HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S8260HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S8260HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S8260HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S8260HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S8260HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8S8260HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为 2.6–2.7 GHz 频段设计（典型工作频段：2620–2690 MHz），适用于 4G LTE 和 5G NR 基站的宏蜂窝/微蜂窝射频功率放大器（PA）模块。其主要应用场景包括：  
- 通信基站发射链路：作为末级功率放大器（Final PA），支持高效率、高线性度的多载波宽带信号（如20–100 MHz带宽）放大，满足LTE-A和5G NR eMBB对ACLR与EVM的严苛要求；  
- 大规模MIMO（Massive MIMO）有源天线单元（AAU）：凭借高增益（典型18 dB）、高输出功率（单管饱和输出达60 W，脉冲或连续波模式下可实现~45 W平均输出）及优异热稳定性，适用于紧凑型多通道PA设计；  
- 远程射频单元（RRU）与一体化小基站（Small Cell）：采用陶瓷封装（NI-780H-4L）及优化的热设计，支持风冷/自然散热，适用于空间受限、功耗敏感的部署场景；  
- 测试与仪表设备：在射频信号发生器、功率放大器模块及EMC测试系统中用作宽带激励源驱动级。  
该器件需配合匹配网络、偏置电路及数字预失真（DPD）技术使用，以充分发挥其高效率（典型PAE > 55% @ 2.65 GHz）与线性度优势，广泛应用于电信运营商基础设施及基站设备制造商（如华为、爱立信、诺基亚供应链）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 70W 28W NI880S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF8S8260HSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880S
功率-输出	70W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21.1dB
封装/外壳	2 外壳 465C-03
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	70V
电流-测试	1.5A
频率	895MHz
额定电流	-