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- 型号： MRF8S26060HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S26060HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S26060HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S26060HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S26060HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S26060HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S26060HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.6–2.7 GHz 频段设计（典型用于 B41 Band，即 TDD-LTE / 5G NR n41 频段）。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站功率放大器（PA）：适用于 Sub-6 GHz 5G 基站发射链路，支持高平均输出功率（~60 W P1dB）、高增益（≥17 dB）和高效率（典型漏极效率达 55% @ 2.62 GHz），满足大规模 MIMO 和高吞吐量需求。 - LTE-Advanced（LTE-A）基站：广泛用于 2.6 GHz TD-LTE 网络的远端射频单元（RRU）和一体化基站，支持20–100 MHz信号带宽及高阶调制（如256-QAM），具备优异的线性度与ACLR性能。 - 无线基础设施设备：如微基站、有源天线单元（AAU）及小基站（Small Cell）中的末级功放模块，得益于其集成式ESD保护、高可靠性封装（NI-780H-4L）及宽温度工作范围（−40°C 至 +105°C）。 该器件需配合匹配电路与偏置网络使用，典型采用固定偏置或包络跟踪（ET）/平均功率跟踪（APT）供电方案以优化整机能效。不适用于消费类Wi-Fi或低功率手持终端，属中高功率基站级核心射频器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF TRANSISTOR |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S26060HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400-240 |
| 功率-输出 | 15.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.3dB |
| 封装/外壳 | NI-400-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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