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  • 型号: MRF8S21120HSR3
  • 制造商: Freescale Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21120HSR3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21120HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21120HSR3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF8S21120HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF8S21120HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为MRF8S21120HSR3的射频MOSFET晶体管,由NXP USA Inc.生产,主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播系统和工业设备中的高频信号放大。其高功率输出和良好线性性能使其适合用于4G LTE及部分5G前传网络中的远程无线电单元。此外,该MOSFET也可用于广播发射机和测试测量设备中,提供稳定的射频能量输出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MRF8S21120HSR3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-780S

功率-输出

28W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

17.6dB

封装/外壳

NI-780S

晶体管类型

LDMOS

标准包装

250

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

850mA

频率

2.17GHz

额定电流

-

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