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- 型号： MRF8S18260HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18260HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18260HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18260HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S18260HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18260HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S18260HR6 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.8–2.6 GHz 频段设计，典型应用于蜂窝通信基站的射频功率放大器（PA）模块。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站：作为末级功放（Final PA），支持宏基站、微基站及有源天线单元（AAU）中的多载波宽带信号放大，具备高增益（约17 dB）、高效率（典型PAE >55% @ 2.14 GHz）和优异线性度，满足ACLR/ACPR严苛要求； - 无线基础设施设备：适用于分布式基站（BBU+RRU架构）、小型蜂窝（Small Cell）及中继系统中的射频收发通道； - 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA/LMR）、航空地空通信及宽带无线接入（WiMAX遗留系统）等需高可靠性射频功率输出的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高功率连续波（CW）与复杂调制信号（如256-QAM OFDM），额定输出功率达260 W（峰值），并集成ESD保护与热稳定性设计，适用于高密度、高散热要求的通信设备环境。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热方案使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S18260HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230-8 |
| 功率-输出 | 74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | - |
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