【未分类_MRF8S18210WGHSR5】封装/厂家_MRF8S18210WGHSR5中文资料_价格

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型号： MRF8S18210WGHSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18210WGHSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18210WGHSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18210WGHSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S18210WGHSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18210WGHSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8S18210WGHSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1880 MHz 和 2110–2170 MHz），采用气腔封装（Overmolded Air Cavity）及高可靠性 SMD 封装（HSOP-8），支持高功率、高效率连续波（CW）与复杂调制信号（如 LTE、WCDMA、5G NR）放大。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站、微基站及分布式小基站（pico/femto cell）的末级射频功放模块，支持多载波 LTE-A 和 Sub-6 GHz 5G 前传/中传链路；  
✅ 无线基础设施设备：如直放站（Repeater）、室内分布系统（IBS）、有源天线单元（AAU）中的射频发射链路；  
✅ 宽带通信系统：适用于符合 3GPP 标准的多标准基站（兼容 GSM/EDGE/WCDMA/LTE/5G），具备优异的线性度（ACPR < –45 dBc）、高增益（>18 dB）和高漏极效率（>55% @ POUT=100 W avg.）；  
✅ 工业与专用通信：如公共安全通信（TETRA、P25）、专网无线系统等对可靠性与热稳定性要求严苛的场景。

该器件集成ESD保护、优化的输入/输出匹配（50 Ω 兼容），支持偏置电路简化设计，并通过AEC-Q200等工业级可靠性认证，适用于高温、高振动等严苛环境。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 30V NI880XGS
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8S18210WGHSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880XS-2 Gull
功率-输出	50W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.8dB
封装/外壳	NI-880XS-2 GW
晶体管类型	N 通道
标准包装	50
电压-测试	30V
电压-额定	65VDC
电流-测试	1.3A
频率	1.81GHz ~ 2GHz
额定电流	-