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- 型号： MRF8S18120HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18120HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18120HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18120HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S18120HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18120HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S18120HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.8–2.2 GHz 频段设计，典型用于蜂窝通信基站的射频功率放大器。其主要应用场景包括： - 4G LTE/5G Sub-6 GHz 宏基站和微基站：支持高效率、高线性度的多载波信号放大，适用于 Band 1、3、25、38、40 等主流频段； - 无线基础设施中的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）：凭借高增益（典型17 dB）、高输出功率（120 W P1dB，180 W 饱和功率）及优异热稳定性，满足紧凑型、高集成度设备需求； - 宽带多模功率放大器模块：兼容 DPD（数字预失真）技术，可实现高ACLR（邻道泄漏比）性能，满足严苛的3GPP发射标准； - 工业与专用无线通信系统：如公共安全宽带网络（如TETRA、P25增强型）、私有LTE/5G专网等中高功率射频前端。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热能力与可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如256-QAM OFDM）工作。需配合匹配电路、偏置网络及高效散热设计使用。不适用于消费类小功率应用（如手机终端）或低于1.5 GHz/高于2.5 GHz频段。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S18120HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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