Datasheet下载- 型号： MRF8S18120HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18120HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18120HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18120HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S18120HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18120HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF8S18120HR3 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，并专门针对射频（RF）应用进行了优化。以下是该型号的主要应用场景：
1. 射频功率放大器
- MRF8S18120HR3 是一款高功率射频 MOSFET，适用于射频功率放大器的设计。它能够处理高达 120W 的输出功率（具体取决于工作频率和条件），适合需要高效能功率放大的无线通信系统。
- 应用领域包括：
- 无线基站
- 固定无线接入（FWA）
- 移动通信基础设施
2. 航空与国防通信
- 由于其高可靠性设计和宽泛的工作频率范围（通常覆盖 HF 至 UHF 频段），MRF8S18120HR3 被广泛用于航空电子设备和国防通信系统中。
- 典型应用包括：
- 军用无线电通信
- 雷达系统
- 卫星通信地面站
3. 工业、科学与医疗（ISM）频段
- 在 ISM 频段内，这款 MOSFET 可以驱动高频能量传输系统，例如：
- 射频加热设备
- 等离子体发生器
- 医疗成像与治疗设备（如射频消融）
4. 测试与测量设备
- 高性能射频 MOSFET 常用于测试与测量仪器中，以提供稳定的信号放大功能。MRF8S18120HR3 可应用于：
- 频谱分析仪
- 网络分析仪
- 射频信号发生器
5. 业余无线电与短波广播
- 该器件也可用于业余无线电爱好者或专业广播公司构建高效率的短波发射机，支持长距离通信。
性能特点总结：
- 工作频率范围广（适合多种射频应用）
- 高输出功率与高增益
- 高线性度和低失真
- 优异的热稳定性和耐用性
因此，MRF8S18120HR3 是一款适用于高功率射频应用的理想选择，尤其是在需要高性能和可靠性的场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S18120HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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