【未分类_MRF8P9300HR6】封装/厂家_MRF8P9300HR6中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF8P9300HR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P9300HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P9300HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P9300HR6封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P9300HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P9300HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P9300HR6 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 860–960 MHz 频段设计，典型工作频率覆盖 UHF 无线通信频段（如 870–960 MHz），适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。

其主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站基础设施：用于宏基站（Macrocell）和微基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），支持 GSM、EDGE、W-CDMA、LTE-FDD 及 NB-IoT 等多模协议；  
✅ 广播发射系统：适用于低功率电视/广播激励器或分布式天线系统的中功率射频放大模块；  
✅ 工业与专用无线通信：如公共安全通信（TETRA、P25）、数字地面电视（DTMB）、无线麦克风系统及 RFID 激励源等需稳定宽温域（−40°C 至 +150°C）运行的设备；  
✅ 测试与测量设备：作为信号发生器、功率放大模块或EMC抗扰度测试中的宽带激励源组件。

该器件采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H），具备优异的热稳定性、高增益（典型17 dB @ 945 MHz）、高输出功率（连续波下可达300 W，脉冲模式更高），并支持高电压供电（VDD = 32 V），配合NXP推荐的匹配电路可实现>65% 的漏极效率和良好ACLR性能，满足严苛的通信标准要求。  

注：实际应用需严格遵循NXP官方数据手册（DS-MRF8P9300HR6）进行PCB布局、散热设计与阻抗匹配，以确保可靠性与射频性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8P9300HR6
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230
功率-输出	100W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.4db
封装/外壳	NI-1230
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	150
电压-测试	28V
电压-额定	70V
电流-测试	2.4A
频率	960MHz
额定电流	-