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- 型号： MRF8P26080HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P26080HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P26080HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P26080HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P26080HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P26080HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P26080HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.6–2.7 GHz 频段设计（典型用于 LTE-TDD、5G NR n41 频段）。其主要应用场景包括： - 5G 基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级射频功放，支持高平均输出功率（典型 80 W CW 或 60 W 峰值，配合 DPD 使用），满足 5G 大带宽、高效率通信需求。 - 宽带无线接入系统：如 WiMAX、TD-LTE 基站发射链路，尤其适合需高线性度与高效率兼顾的场景。 - 工业与专用无线通信设备：包括公共安全通信（如 TETRA 扩展频段）、专网宽带集群系统等中功率射频发射模块。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热性能与可靠性；支持高增益（>18 dB）、高漏极效率（>55% @ 2.65 GHz），并兼容数字预失真（DPD）技术，显著提升信号质量与能效。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 65V NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P26080HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 2.62GHz |
| 额定电流 | - |
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