Datasheet下载- 型号： MRF8P23160WHR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P23160WHR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P23160WHR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P23160WHR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P23160WHR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P23160WHR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P23160WHR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 LDMOS 晶体管（属 RF MOSFET 类别），专为 2.3–2.7 GHz 频段设计，典型应用包括： - 4G LTE/5G Sub-6 GHz 基站功率放大器：适用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功放（PA），支持高效率（典型 PAE ≥ 55%）和高线性度，满足 ACLR 和 EVM 要求； - 无线通信基础设施：用于多载波宽带系统（如 2×20 MHz LTE-A），支持高峰均比（PAR）信号，配合DPD（数字预失真）技术提升整机性能； - ISM 频段工业设备：如 2.45 GHz 微波加热、等离子体发生器等需连续波（CW）或脉冲高功率输出的场景； - 测试与测量仪器：作为宽带射频信号源或功率放大模块的核心器件。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229A），支持高散热能力（可承受 > 160 W CW 输出），内置ESD保护，工作电压为28 V，典型输出功率达160 W（连续波）。其高可靠性与宽温度范围（–40°C 至 +150°C）使其广泛应用于严苛环境下的通信与工业射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 28V 2.4GHZ NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8P23160WHR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | - |
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