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- 型号： MRF8P20161HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20161HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20161HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20161HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20161HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20161HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20161HSR3 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原始设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其官方制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频功率 MOSFET，属 LDMOS 工艺，工作频率范围为 1805–2170 MHz（覆盖 B1/B2/B3/B4/B25/B38/B40/B41 等 4G/5G LTE-TDD/FDD 频段），典型输出功率达 160 W（连续波），适用于高效率、高线性度的基站射频功放末级。 主要应用场景包括： - 4G/5G 宏基站与微基站：作为 PA 输出级器件，支持多载波、高阶调制（如 256-QAM）信号放大； - 无线通信基础设施：用于远程射频单元（RRU）、有源天线系统（AAS）及 Massive MIMO 模块中的射频功率放大； - 宽带直放站与室内分布系统（DAS）：满足宽频带、低失真、高可靠性要求； - 小基站回传与专网通信设备：在工业物联网、公共安全通信等场景中提供稳定射频输出。 该器件采用气腔陶瓷封装（如 NI-780H），具备优异热管理能力与高可靠性，支持偏置可调以优化效率与线性度平衡。需配合匹配网络、驱动级及数字预失真（DPD）系统协同使用。 （注：选型前请务必核实数据手册来源，确认供应商资质——NXP 官方型号为 MRF8P20161HR5，Fremont Micro Devices 并未公开发布此型号，建议优先选用原厂渠道产品以保障性能与技术支持。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20161HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.4dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.92GHz |
| 额定电流 | - |
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