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型号： MRF8P20140WGHSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20140WGHSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20140WGHSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20140WGHSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P20140WGHSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20140WGHSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P20140WGHSR3 是 NXP（原 Freescale）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.0–2.2 GHz 频段设计，典型工作频率为 2.11–2.17 GHz（如 LTE-TDD、5G NR n1/n28/n41 等频段），峰值输出功率达 140 W（连续波），具备高增益（约 16 dB）、高效率（典型 PAE > 60%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 5G 宏基站功率放大器（PA）：用于 Sub-6 GHz 有源天线单元（AAU）和远端射频单元（RRU）的末级功放，支持高阶调制（如 256-QAM）和宽瞬时带宽（≥100 MHz）。  
✅ LTE-Advanced 基站发射链路：适用于 FDD/TDD 模式下的大功率多载波（MC-OFDM）应用，满足 ACLR 和 EVM 严苛指标。  
✅ 宽带无线接入系统（如 WiMAX、WCDMA 升级系统）：在 2.1 GHz 频段提供高线性度与动态范围。  
✅ 工业/科研射频源：如EMC测试、等离子体发生器、MRI射频激励模块等需稳定高功率CW或脉冲输出的场景。

该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），支持风冷/液冷散热，内置ESD保护与VSWR耐受设计（可承受10:1负载失配），适合高可靠性通信基础设施部署。注意：需配合匹配网络、偏置电路及驱动级（如MRF9011N等前级）协同设计，不可直接替代通用MOSFET使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF LDMOS 28V 500MA NI780S-
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8P20140WGHSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	24W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	500mA
频率	1.88GHz ~ 1.91GHz
额定电流	-