Datasheet下载- 型号： MRF8P18265HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P18265HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P18265HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P18265HSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P18265HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P18265HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P18265HSR6 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 4G/5G蜂窝基站：适用于宏基站和中继站的末级功率放大器（PA），支持1800–2690 MHz频段（覆盖B3/B7/B8/B20/B38–B42等主流LTE/NR频段），可单管输出高达265 W峰值功率（脉冲模式），连续波（CW）输出约130 W。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）增强模块及有源天线单元（AAU）中的多载波预失真（DPD）放大链路，得益于其高增益（≥18 dB）、高漏极效率（典型65% @ 2110 MHz）和优异的线性度（ACLR优于–45 dBc），适配复杂调制信号（如256-QAM、OFDMA）。 - 通用宽带射频功放：可用于ISM频段（如2.4 GHz）、广播辅助发射、雷达测试系统及工业射频加热等需高可靠性、高热稳定性的场景；采用陶瓷封装（NI-780H-4L）与优化散热设计，支持风冷/液冷部署。 该器件需配合匹配网络、偏置电路及保护机制使用，常与NXP配套驱动器（如MMRF1020）及数字预失真方案协同工作，满足通信设备严苛的能效、互调抑制与长期运行稳定性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8P18265HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230S-8 |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | - |
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