【未分类_MRF7S21110HR3】封装/厂家_MRF7S21110HR3中文资料_价格

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型号： MRF7S21110HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21110HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21110HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21110HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S21110HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21110HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S21110HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD 和 5G Sub-6 GHz 基站）设计。其典型应用场景包括：

• 宏基站功率放大器（PA）：适用于 2.14–2.17 GHz LTE/5G NR 频段，支持高线性度和高效率（在 2.14 GHz、110 W P3dB 下，典型漏极效率达 55%），满足多载波、高阶调制（如 256-QAM）需求；  
• 射频功率模块与板级放大器：常用于基站收发信机（RRU/BTS）中的末级功放（Final PA Stage），配合数字预失真（DPD）技术实现优异ACLR性能（<-45 dBc @ 5 MHz offset）；  
• 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）增强型射频单元及有源天线单元（AAU）中的中高功率放大链路；  
• 工业与通信测试设备：作为宽带射频信号源或功率激励级，支持连续波（CW）及复杂调制信号放大。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备高可靠性、良好热稳定性及优异的抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1），适用于严苛的室外基站环境。需搭配匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用。  

（字数：398）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 33W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S21110HR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	33W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.3dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.1A
频率	2.11GHz
额定电流	10µA