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- 型号： MRF7S21080HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21080HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21080HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21080HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21080HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21080HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21080HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE 2100 MHz频段）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 4G/5G宏基站与微基站发射链路：作为末级功放（PA），支持高效率、高线性度的多载波信号放大，满足ACLR和EVM等严苛通信标准； - 无线基础设施设备：用于分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及远程射频单元（RRU）中的射频输出级； - 宽带窄带射频功率放大：适用于2110–2170 MHz频段的蜂窝通信系统，支持高达80 W（峰值）的输出功率（在2.14 GHz、VDD=28 V、Pout=40 W连续波条件下，典型增益20.5 dB，漏极效率约63%）； - 工业与专用通信系统：如公共安全通信、专网TETRA/LTE系统中对可靠性与热稳定性要求较高的射频发射模块。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异的热管理能力与长期可靠性，支持高静态偏置（Class AB）工作，兼容数字预失真（DPD）技术，是现代高效能、小型化基站PA方案的关键器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21080HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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