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- 型号： MRF7S21080HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21080HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21080HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21080HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21080HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21080HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21080HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/UMTS 2100 MHz）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括：宏蜂窝和微蜂窝基站的末级射频功放（PA），支持多载波（MC-WCDMA/LTE）信号，具备高增益（约18 dB）、高效率（典型PAE达55% @ 2.14 GHz）及优异线性度；适用于4G LTE 和向5G演进中的中功率基站（输出功率可达80 W平均功率，峰值功率更高）；亦可用于无线基础设施中的远程射频单元（RRU）、有源天线系统（AAS）前端模块及小基站（Small Cell）的高可靠性射频链路。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高散热需求，工作电压为28 V，具备良好的热稳定性和长期可靠性，符合通信基站严苛的MTBF要求。不适用于消费类或低功率应用（如Wi-Fi、蓝牙），也不推荐用于DC或低频开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21080HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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