Datasheet下载- 型号： MRF7S19210HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19210HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19210HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19210HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19210HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19210HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19210HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.9–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：1930–1990 MHz 或 2110–2170 MHz），适用于蜂窝通信基础设施中的宏基站和中继站。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站功率放大器（PA）：支持高效率、高线性度的多载波信号放大，满足ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）严苛要求； - WCDMA/HSPA+ 和 LTE FDD/TDD 基站末级功放：凭借210 W（峰值）输出功率与高增益（典型18 dB @ 1.96 GHz），可单管驱动扇区天线； - 分布式基站（BBU+RRU架构）中的远端射频单元（RRU）：采用陶瓷封装（NI-780H-4L）与优化热设计，适配紧凑型RRU散热需求； - 小基站（Metro Cell/微站）扩展应用：在降低偏置条件下可降额用于中等功率场景，兼顾能效与可靠性。 该器件支持宽带匹配、具备良好热稳定性和ESD防护能力，常与NXP配套驱动器（如MW6S010N）、预失真（DPD）系统协同使用，广泛应用于爱立信、诺基亚及国内主流设备商的基站射频链路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19210HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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