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- 型号： MRF7S19170HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19170HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19170HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19170HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19170HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19170HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19170HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD Band 2/25）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级射频功放，支持高效率（>60% PAE）、高线性度及宽瞬时带宽，满足 5G 前传与4G增强型系统需求； - 无线通信基础设施：用于多载波 GSM/UMTS/LTE 系统中的宽带功率放大模块，支持 DPD（数字预失真）校正，提升频谱效率与ACLR性能； - 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、点对点微波回传等中高功率射频发射链路； - 测试与仪表设备：作为信号源或功放模块，用于射频一致性测试、EMC抗扰度测试等场景。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热管理能力与高可靠性（10年MTTF），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如20 MHz LTE 4x20 MHz MIMO）下的稳定运行。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19170HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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