图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF7S18170HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18170HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18170HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18170HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18170HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18170HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18170HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.8–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1880 MHz 和 2110–2170 MHz），常用于蜂窝通信基础设施。其主要应用场景包括： - 4G LTE 基站功率放大器（PA）：适用于宏基站、微基站的末级功放，支持高效率（典型漏极效率约 55% @ 1.8 GHz）、高线性度（满足 ACLR 要求），配合数字预失真（DPD）技术实现高吞吐量与低干扰。 - 5G Sub-6 GHz 前传/分布式单元（DU）射频模块：在 2.1 GHz 主流频段中承担中等功率放大任务（输出功率达 170 W P3dB，连续波；脉冲模式下峰值更高），兼顾带宽（≥60 MHz）与热稳定性。 - 宽带无线接入系统（如 WiMAX、WCDMA）及小型化射频拉远单元（RRU）：采用气腔封装（NI-780H-4L），散热优异，支持紧凑型散热设计，适合空间受限的室外部署环境。 该器件需配合匹配网络、稳定偏置电路及高效散热方案使用，不适用于消费类或低功率终端设备。典型应用需严格遵循 NXP 提供的参考设计（如 AN1955）及 PCB 布局指南，以确保阻抗匹配、EMI 控制和长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18170HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF7S18170HSR5 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商