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- 型号： MRF7S18170HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18170HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18170HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18170HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18170HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18170HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18170HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为1.8–2.2 GHz频段设计（典型工作频段为1805–1880 MHz及2110–2170 MHz），常用于蜂窝通信基础设施。其主要应用场景包括： - 4G LTE宏基站功率放大器（PA）：作为末级功放器件，支持高输出功率（典型170 W P3dB）、高增益（约17 dB）和高效率（>55%），满足大规模MIMO和多载波系统需求； - 5G Sub-6 GHz基站（n1/n3/n25/n41等频段）：兼容部分5G中频部署，适用于分布式单元（DU）与有源天线单元（AAU）中的射频前端； - 无线直放站与小基站（Small Cell）增强型PA模块：在需兼顾线性度与散热性能的紧凑型设备中提供可靠射频功率； - 测试仪器与宽带射频激励源：因具备良好宽带匹配特性与高可靠性，亦用于射频信号发生器、EMC测试放大器等工业设备。 该器件采用气腔陶瓷封装（HR5），具备优异热管理能力与长期运行稳定性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如20 MHz LTE CA、256-QAM）下的高线性度工作，符合基站对ACLR、EVM等严苛指标要求。需配合匹配网络、负反馈电路及高效散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18170HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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