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产品简介:
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MRF7P20040HR5 是 NXP(恩智浦)推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管,属于晶体管—FET/MOSFET—射频类别。该器件采用高可靠性陶瓷封装(H-316B),工作频率范围为1805–2200 MHz(覆盖LTE-FDD/LTE-TDD、5G NR n1/n3/n7/n38/n41/n48等主流蜂窝频段),典型输出功率达40 W(连续波),峰值功率能力优异,具备高增益(约17 dB)、高效率(典型PAE > 60%)及良好线性度。 主要应用场景包括: • 5G宏基站与小型基站(Small Cell)的末级功率放大器(PA),尤其适用于2.1 GHz/2.3 GHz/2.6 GHz频段的多载波宽带信号放大; • LTE-A与5G NR mMIMO(大规模MIMO)有源天线单元(AAU)中的射频功放模块,支持高阶调制(如256-QAM)和宽带信号(≥100 MHz带宽); • 无线基础设施中的远程射频单元(RRU)和分布式天线系统(DAS),满足高可靠性、长寿命及高温环境(结温可达200°C)运行需求; • 测试仪器与射频能量应用(如工业加热、医疗射频设备)中需稳定大功率输出的场景。 其内置ESD保护、高热稳定性及符合RoHS标准的设计,使其广泛应用于通信设备制造商(如华为、爱立信、诺基亚供应链)的商用射频功率解决方案中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 40W NI780H-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF7P20040HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS(双) |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 2.03GHz |
| 额定电流 | 10µA |