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- 型号： MRF6VP41KHR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP41KHR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP41KHR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP41KHR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP41KHR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP41KHR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP41KHR6 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：适用于 2.1–2.7 GHz 频段（如 LTE、5G NR Sub-3 GHz），常用于宏基站和微基站的末级功率放大器（PA），支持多载波、高效率 Doherty 架构； - 无线通信系统：在点对点微波回传、小基站（Small Cell）及中继设备中提供稳定输出功率（典型 P3dB 达 120 W，连续波或脉冲工作）； - 广播与工业射频源：可用于 UHF 频段电视发射辅助放大、RF 加热、等离子体发生器等需高可靠性、高增益（>18 dB）及良好热稳定性的工业场景； - 测试与仪表设备：作为信号发生器、功率放大模块的核心器件，满足宽动态范围与低失真要求（ACLR/IMD 性能优异）。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备卓越散热能力与长期可靠性，支持 28 V 或 50 V 供电，兼容主流射频功放设计规范。需配合匹配网络、偏置电路及热管理方案使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP41KHR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 450MHz |
| 额定电流 | 5mA |
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