Datasheet下载- 型号： MRF6V12500HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V12500HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V12500HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V12500HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V12500HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V12500HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6V12500HSR3 是恩智浦半导体（NXP USA Inc.）生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件特别适用于工业、科学和医疗（ISM）频段以及广播通信设备中的射频能量传输。 典型应用场景包括： 1. 射频加热与等离子体生成：用于感应加热、介质加热及等离子体发生器中，提供高效稳定的射频能量输出。 2. 无线通信基站：在蜂窝通信系统如4G LTE及部分5G基础设施中作为功率放大器核心元件，支持高线性度和效率要求。 3. 广播发射机：应用于调幅（AM）、调频（FM）或电视广播发射系统中，承担高功率射频信号放大任务。 4. 测试与测量设备：作为射频信号源或放大模块，广泛用于实验室或产线测试环境中。 其高耐压、大电流能力和优良的热稳定性使其适合于连续波（CW）或脉冲工作模式下的高可靠性应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI780HS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6V12500HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 500W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.7dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 100V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 1.03GHz |
| 额定电流 | - |
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