【未分类_MRF6S9160HR5】封装/厂家_MRF6S9160HR5中文资料_价格

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型号： MRF6S9160HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9160HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9160HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9160HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S9160HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9160HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S9160HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 900–960 MHz 频段设计（典型工作频段：869–960 MHz），采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H），具备160 W连续波（CW）输出功率能力。

其主要应用场景包括：  
• 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 GSM、EDGE、LTE FDD/TDD 基站的末级功放（PA），尤其适用于宏基站和中继站；  
• 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）的射频前端模块；  
• 工业与通信射频系统：支持符合ETSI、FCC等标准的无线通信设备，适用于需高线性度、高效率及良好热稳定性的场合；  
• 宽带多载波应用：凭借优异的ACLR（邻道泄漏比）性能和高增益（典型21 dB @ 945 MHz），适用于WCDMA/LTE多载波信号放大。

该器件支持高电压（28 V或32 V供电）、高功率密度和宽温度范围（–40°C 至 +150°C），内置ESD保护，适合严苛环境下的长期稳定运行。典型应用电路需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计（建议使用铜基PCB或金属底座）。  

注意：实际使用需严格遵循NXP官方数据手册（DS-MRF6S9160HR5）中的推荐偏置条件（如Vds=28 V, Idq≈1.2 A）及稳定性设计规范，避免自激振荡。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9160HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	35W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20.9dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1.2A
频率	880MHz
额定电流	10µA