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- 型号： MRF6S9130HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9130HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9130HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9130HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9130HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9130HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9130HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为900 MHz频段（典型工作频率869–960 MHz）的高功率、高效率应用设计。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于2G/3G/4G宏基站及分布式基站（BBU+RRU架构）的末级射频功放（PA），支持GSM、EDGE、UMTS、LTE等标准，尤其适用于900 MHz频段的高线性度、高输出功率需求场景。 - 无线基础设施设备：如中继器、直放站、小基站（Small Cell）和远程射频单元（RRU），在要求高增益（典型>17 dB）、高效率（典型65% @ 945 MHz）及良好热稳定性的场合表现优异。 - 工业与广播应用：可用于ISM频段（如915 MHz）的RF加热、等离子体发生器，以及低功率FM广播激励器等需连续波（CW）或复杂调制信号（如WCDMA、OFDM）高可靠性放大的系统。 该器件采用高热效气腔封装（NI-780H），支持高结温（Tj ≤ 200°C），并内置ESD保护，具备良好的 ruggedness（抗负载失配能力），适合在VSWR ≥ 10:1等严苛条件下稳定运行。其“HSR3”后缀表明为无铅、符合RoHS的卷带封装版本，便于自动化贴装。 综上，MRF6S9130HSR3 是面向通信基础设施领域中高频、高可靠、高效率射频功率放大的关键器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9130HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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