【未分类_MRF6S9060MBR1】封装/厂家_MRF6S9060MBR1中文资料_价格

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型号： MRF6S9060MBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9060MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9060MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9060MBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S9060MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9060MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S9060MBR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 900 MHz 频段设计，典型工作频率范围为 869–960 MHz，适用于蜂窝通信基础设施。其主要应用场景包括：

- 4G LTE 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和微基站的末级功放模块，支持高线性度与高效率（典型漏极效率达 55% @ 945 MHz），满足 LTE 上行/下行链路对邻道泄漏比（ACLR）和误差矢量幅度（EVM）的严苛要求。

- ISM 频段工业设备：在 915 MHz ISM 频段（如无线数据传输、远程抄表、智能电网通信）中用作高可靠性射频功放核心器件。

- 窄带/宽带无线通信系统：适配 DCS、GSM900、UMTS FDD Band VIII 等标准，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、16-QAM）放大。

该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1227A），具备优异热稳定性与功率耐受能力（P1dB ≈ 60 W，额定输出功率 60 W 连续波），并集成ESD保护，适用于高可靠性、长时间运行的室外基站环境。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用。  

（注：“品牌为-”应为品牌缺失，实际制造商为 NXP；型号后缀“R1”表示卷带包装。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9060MBR1
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272-2
功率-输出	14W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21.4dB
封装/外壳	TO-272-2
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	450mA
频率	880MHz
额定电流	10µA