【未分类_MRF6S9045MR1】封装/厂家_MRF6S9045MR1中文资料_价格

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型号： MRF6S9045MR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9045MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9045MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9045MR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S9045MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9045MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S9045MR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 900 MHz 频段（典型工作频率 869–960 MHz）设计，采用 TO-270WB-4 封装，具备高增益（典型 17.5 dB）、高输出功率（连续波下可达 45 W）及高漏极效率（典型 65% @ 945 MHz）。其主要应用场景包括：

- 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 GSM、EDGE、LTE FDD/TDD 基站的末级功放（PA），尤其适用于宏基站和分布式基站（BBU+RRU 架构）中的 900 MHz 频段射频发射链路；  
- 无线基础设施设备：支持多载波信号（如 4×20 MHz LTE），适用于中等功率回传链路、微基站及小型蜂窝（Small Cell）的发射模块；  
- 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、数字地面电视（DTTV）发射机、ISM 频段宽带放大器等对线性度、热稳定性和可靠性要求较高的射频功率场景；  
- 测试与仪表应用：作为射频信号源或功率放大模块，用于通信设备产线校准、EMC 测试及射频实验室环境。

该器件内置ESD保护、优化的热阻设计（RθJC ≈ 0.45°C/W），支持高可靠性连续波及调制信号（如 OFDM、WCDMA）工作，需配合匹配网络与良好散热设计使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9045MR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270-2
功率-输出	10W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	22.7dB
封装/外壳	TO-270-2
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	350mA
频率	880MHz
额定电流	10µA