Datasheet下载- 型号： MRF6S9045MBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9045MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9045MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9045MBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9045MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9045MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9045MBR1是NXP USA Inc.推出的高性能射频LDMOS MOSFET晶体管，专为900 MHz频段（869–960 MHz）的高功率、高效率应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于GSM、EDGE、LTE及NB-IoT等900 MHz频段宏基站和微基站的末级功放（PA），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如QPSK、16-QAM），具备高增益（约17 dB）、高输出功率（典型45 W P1dB，峰值可达60 W）和优异的线性度与效率（典型漏极效率达65%）。 - 无线通信基础设施：适用于中继站、分布式天线系统（DAS）及小基站（Small Cell）中的宽带射频功放模块。 - 工业与专用通信设备：如公共安全通信（TETRA、P25）、无线麦克风、RFID读写器及ISM频段（如915 MHz）高功率发射系统。 该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备优良热管理能力，支持高可靠性连续运行；内置ESD保护，简化外围电路设计。需配合匹配网络、偏置电路及散热方案（如强制风冷或散热片）使用，符合RoHS标准，适用于严苛通信环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9045MBR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272-2 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.7dB |
| 封装/外壳 | TO-272-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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