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产品简介:
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MRF6S27085HSR5 是 Fremont Micro Devices USA(注:实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产,Fremont Micro Devices 并非其原始制造商,可能存在品牌授权或分销混淆)推出的高性能射频LDMOS MOSFET,工作频率达2.7 GHz,典型用于2.5–2.7 GHz频段(如WiMAX、LTE TDD、B41(2.6 GHz)等),额定输出功率达85 W(连续波,CW),具备高增益(约17 dB)、高效率(典型PAE > 60%)和良好热稳定性。 主要应用场景包括: - 基站射频功率放大器:适用于小型蜂窝(Small Cell)、微基站(Micro Base Station)及分布式天线系统(DAS)中的末级功放; - 无线通信基础设施:支持2.6 GHz LTE/TDD 和 WiMAX 802.16e 系统的上行/下行链路发射模块; - 工业与专网通信设备:如公共安全宽带(FirstNet)、专网PDT/TETRA扩频系统中的高可靠性射频前端; - 测试与仪表应用:作为信号源或功率放大模块,用于EMC预兼容测试、射频模块老化验证等场景。 该器件采用陶瓷封装(NI-780H-4L),支持风冷或底板散热,需配合匹配网络与稳定偏置电路使用。注意:实际选型应以NXP官方数据手册(DS-MRF6S27085HSR5)为准,并进行阻抗匹配仿真与热设计验证。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S27085HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 190MHz |
| 额定电流 | 10µA |