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- 型号： MRF6S27085HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S27085HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S27085HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S27085HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S27085HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S27085HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S27085HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.7 GHz频段（典型工作频段2.4–2.7 GHz）设计，额定输出功率达85 W（连续波，CW），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。 其主要应用场景包括： - 4G/LTE基站功率放大器：尤其适用于2.6 GHz频段（如B7/B38/B41等）宏基站和微基站的末级功放（PA），支持高平均功率与良好ACLR性能； - 无线通信基础设施：如点对点微波回传、小蜂窝（Small Cell）及分布式天线系统（DAS）中的中高功率射频放大模块； - 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、MRI射频激励源、射频加热设备等需稳定大功率射频输出的非通信领域； - 测试与测量设备：作为信号发生器、射频功率放大器模块的核心器件，用于EMC抗扰度测试或射频组件老化试验。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），具备优异热管理能力与高可靠性，支持+28 V或+32 V单电源供电，内置ESD保护，适合在严苛环境（如高温、高湿、强电磁干扰）下长期运行。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计（如强制风冷或液冷）以发挥最佳性能。 注：实际应用中须遵循NXP官方数据手册（Rev. 3.0）的驱动条件、稳定性设计及PCB布局指南，避免自激振荡并确保线性度与效率平衡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S27085HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 190MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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