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- 型号： MRF6S24140HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S24140HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S24140HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S24140HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S24140HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S24140HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S24140HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2400–2500 MHz），采用陶瓷封装（H-31072A-2），具备高增益、高效率和优异热稳定性。其主要应用场景包括： • Wi-Fi 802.11b/g/n/ac 基站与接入点（AP）功率放大：适用于企业级/工业级 Wi-Fi 路由器、无线热点及分布式天线系统（DAS）中的末级射频功放，支持高达 140 W 峰值输出（脉冲模式）或 40 W 平均输出（连续波），满足高吞吐量覆盖需求。 • ISM 频段工业应用：在 2.4 GHz 工业、科学与医疗（ISM）设备中，如 RFID 读写器、无线传感器网络节点、微波加热控制模块等，提供可靠、高线性度的射频驱动能力。 • 小蜂窝基站（Small Cell）与微型基站（Femtocell）：作为 2.4 GHz 室内覆盖解决方案的射频末级放大器，兼顾效率（典型PAE > 55% @ 2.45 GHz）、带宽与尺寸限制。 该器件支持高电压供电（VDD = 28 V），内置ESD保护与优化匹配，简化外围电路设计；广泛用于需兼顾性能、散热与成本的商用无线基础设施领域。不适用于5G Sub-6 GHz 或毫米波频段，亦非通用开关/电源管理用途。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 140W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S24140HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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