Datasheet下载- 型号： MRF6S23140HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S23140HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S23140HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S23140HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S23140HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S23140HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S23140HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.3–2.4 GHz频段（如WCDMA、LTE-FDD/TDD、WiMAX及5G Sub-6 GHz基站应用）设计。其典型应用场景包括： - 宏蜂窝/微蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于2.3–2.4 GHz频段的多载波宽带基站发射链路，支持高线性度与高效率（典型漏极效率达55% @ P1dB），满足ACLR和EVM等严苛通信标准。 - 无线基础设施设备：用于RRU（远端射频单元）、有源天线系统（AAS）及小型基站（Small Cell）中的末级功放模块，具备高增益（>17 dB）和140 W连续波（CW）输出能力（脉冲模式下峰值更高）。 - 工业与科研射频源：在ISM频段（2.4 GHz）的射频加热、等离子体发生器或EMC测试信号源中，作为高可靠性宽带功率器件使用。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H-4L），集成ESD保护与优化热设计，支持风冷/传导冷却，适用于高可靠性、长时间运行的通信基础设施环境。需配合匹配电路、偏置网络及稳定电路使用，典型工作电压为28 V。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S23140HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF6S23140HSR5 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商