Datasheet下载- 型号： MRF6S23140HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S23140HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S23140HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S23140HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S23140HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S23140HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S23140HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.3–2.4 GHz 频段设计（典型工作频段：2300–2400 MHz），采用陶瓷封装（NI-780H），具备高增益、高效率和优异热稳定性。
其主要应用场景包括：
✅ 4G LTE 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和微基站的末级功放模块，支持20–40W平均输出功率（配合Doherty架构），满足LTE Band 40（2300–2400 MHz）部署需求；
✅ 5G Sub-6 GHz 前传/分布式单元（DU）射频单元：在早期5G NSA组网中兼容LTE共模场景，作为中功率射频功放核心器件；
✅ 无线宽带通信系统：如WiMAX（IEEE 802.16e）、专网通信（TDD-LTE专网）及点对多点（PMP）固定无线接入设备；
✅ 工业与科研射频源：用于ISM频段邻近频点的信号发生、EMC测试激励源或等离子体驱动等中功率射频应用（需严格匹配与散热设计）。
该器件需搭配阻抗匹配网络、稳定偏置电路及高效散热方案（推荐使用铜基PCB或热沉），典型静态工作点为 V_{DD}=28 V，I_{DQ}≈450 mA。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
（字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S23140HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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