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- 型号： MRF6S21190HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21190HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21190HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21190HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21190HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21190HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21190HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/UMTS Band I）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括：宏蜂窝/微蜂窝基站的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率运行；适用于4G LTE及向5G过渡阶段的多载波（MC-CDMA、OFDMA）通信系统，满足ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）严苛指标；亦可用于宽带无线接入（WiMAX）、小基站（Small Cell）和直放站（Repeater）中的射频发射链路。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与功率处理能力（连续波输出达190 W，脉冲模式更高），支持高增益（典型17 dB）和高漏极效率（>60% @ P1dB），配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现稳定可靠的高功率射频放大。注意：该器件为工业级器件，不适用于消费类或非通信类通用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21190HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 54W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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